SAMSUNG CREA EL CHIP DRAM DE MAS CAPACIDAD HASTA LA FECHA

Samsung ha anunciado hoy que ha logrado hacer un gran avance en las chips de memorias DDR3 creando el primer chip de 4GBit de memoria DDRAM DDR3, utilizando tecnología de 50nm.Diseñado para bajo consumo, funciona a 1.35 Voltios, bajando 20% sobre la memoria estandard DDR3 de 1.5V. Su velocidad maxima es de 1.6GBits por segundo.Haciendo una pequeña regla de 3, podriamos ver modulos de memoria DDR3 de 32GB.